חוקרים בפקולטה השיגו שליטה על חומר חדשני העשוי להחליף בעתיד את הסיליקון בעולם האלקטרוניקה. פיתוח זה נחשב חיוני נוכח בלימת מגמת המזעור בעולמות הטרנזיסטורים והשבבים. המחקר התפרסם לאחרונה במגזין המדעי Advanced Functional Materials.
פרופ’ ליאור קורנבלום מסביר כי “בעקבות המזעור המתמיד מיוצרים כיום טרנזיסטורים בגודל של עשרות בודדות של אטומים. בממדים אלו קשה יותר ויותר להמשיך במזעור בלי לפגוע בביצועיהם של הטרנזיסטורים ושל השבבים המכילים אותם. בסדרי גודל ננוממטריים מתנהגים הטרנזיסטורים בדרכים חדשות, שונות מאבותיהם הגדולים יותר, ובכך פוגעים בפעילותו התקינה של המעבד.”
“הכלים שפיתחנו לגידול חומרים הם ייחודיים ברמה עולמית,” אומר ליאור, ראש מעבדת אלקטרוניקה של תחמוצות במרכז שרה ומשה זיסאפל לננואלקטרוניקה, “גידול התחמוצות הוא רק השלב הראשון, וממנו מתחילים הסטודנטים לתארים גבוהים לבצע את המחקר. חלקם מתמקדים בתכונות הפיזיקליות של החומרים כדי להבין כיצד הם עובדים וחלקם רותמים את החומרים הייחודיים האלה כדי להכין מהם התקנים שיחוללו מהפכות במיקרואלקטרוניקה, באנרגיה מתחדשת ועוד.”
הדוקטורנטית לישי שהם עוסקת במחקרה בשני התחומים יחד. היא חוקרת את התכונות של החומר ומייצרת ממנו טרנזיסטור כדי לבחון כיצד אפשר לרתום אותו לצורכי המיקרואלקטרוניקה. במחקר הנוכחי הובילה שהם צוות שכלל עוד 12 חוקרות וחוקרים משמונה מוסדות מחקר וחברות הממוקמים בשוויץ, יפן, צרפת וארה”ב.
לדברי פרופ’ קורנבלום, “יש לנו זכות גדולה לפתח את היכולות האלה כאן בישראל, לעבוד עם סטודנטים מבריקים ולשתף פעולה עם מדענים מובילים בעולם שתרמו למחקר הזה. אנחנו קוצרים את הפירות של התשתית המדעית המעולה שהטכניון מפתח ומשכלל בהתמדה, ושל הסטודנטים המצוינים שלנו.”
המחקר נערך במרכז שרה ומשה זיסאפל לננואלקטרוניקה במימון של הקרן הלאומית למדע, והוא נתמך על ידי מכון ראסל ברי לננוטכנולוגיה ותוכנית האנרגיה ע”ש ננסי וסטיבן גרנד.
למאמר ב- Advanced Functional Materials לחצו כאן
