המחקר של מור, מסטרנט, מתרכז בהתקנים חשמליים ננומטריים הנקראים טרנזיסטורים בהם משולבים חומרים פרואלקטרים. החומרים הפרואלקטריים הם בעלי תכונות יחודיות אותן ניתן לנצל לשם אינטגרציה בטרנזיסטורים המיוצרים בתהליכים סטנדרטיים (CMOS) על מנת ליצור טרנזיסטור פרואלקטרי. לטרניזסטור פרואלקטרי כזה יש את היכולת ל"זכור" מצב, ובכך לשמש למימוש של זכרונות בלתי נדיפים ולוגיקה.
- במה הוא שונה/מתבלט ביחס למה שנעשה עד היום
זכרונות במחשבים משמשים במקומות רבים. הרבה מהזכרונות שאנחנו משתמשים בהם עבור גישה מהירה (כגון DRAM או רגיסטרים), הינם נדיפים, בעוד הזכרונות הבלתי נדיפים, המאפשרים אחסון מידע לטווח ארוך (כגון SSD) הינם איטיים. במחקר שלנו הצענו אריטקטורת זיכרון מבוססת על טרנזסיטור פרואקלטרי אחד בודד למימוש של תא זיכרון כך שמדובר בזיכרון מאוד צפוף המנצל באופן מיטבי את השטח. בנוסף, בגלל התכונות הייחודיות של טרנזיסטור הפרואלקטרי, מדובר בזיכרון שניתן לכתוב אליו בקצב מהיר מאוד (מחקר נוסף שלנו הראה מהירות של פחות מננו שנייה), ועם זאת מדובר בזיכרון בלתי נדיף המאפשר אחסון המידע לטווח ארוך, ללא צורך בביצוע פעולות ריענון. היתרון של הטכנולוגיה הפרואלקטרית על טכנולוגיות מתחרות נוספות הנמצאות בפיתוח היא שתהליך ייצור ההתקנים האלו תואם לתהליכי יצור סטנדרטיים, מה שיאפשר ייצור פשוט של ההתקנים האלו, ללא צורך בהתאמות מיוחדות או ציוד נוסף לשם כך, ויאיץ את האינטרגרציה שלהם במעגלים משולבים.
- אפליקציות עתידיות של התחום יבואו לידי ביטוי במימוש של זכרונות בלתי-נדיפים חדשים, בעלי צפיפות זכרון גבוהה וגישה מהירה לזיכרון שיאפשרו גם ביצוע חישובים בתוך הזיכרון עצמו, ובכך יאפשרו להאיץ את ביצועי המחשבים
טרנזיסטורים פרואלקטריים נמצאים בשלבי מחקר ופיתוח מתקדמים וצפויים להשתלב בכל תעשיית השבבים, ובפרט להאצה של רשתות נויירונים ו-AI.
למידע נוסף, קרא את המאמר המלא של TCAS-I כאן
