פרס הוענק למאמר שמקדם חומרים חדשניים בהתקנים
במעבדת אלקטרוניקה של תחמוצות בפקולטה, בהובלת פרופ”ח ליאור קורנבלום, יוצרים התקנים אלקטרונים שמתבססים על תחמוצות. כיוון מבטיח בתחום הזה הוא שילוב של תחמוצות עם מוליכים למחצה, ובפרט המוליך למחצה גאליום ארסניד. מדובר במוליך למחצה נפוץ המשמש להתקנים אלקטרו-אופטיים כגון חישנים, לייזרים ועוד. אתגר משמעותי בשילוב תחמוצות בהתקנים כאלה הוא הצורך לגדל את התחמוצות בשכבות באופן שהסידור האטומי שלהן ממשיך את הסידור האטומי במוליך למחצה – גידול אפיטקסיאלי. מדובר בתהליך רגיש שדורש מספר שלבים איטיים ומדויקים. האתגר כ”כ משמעותי שכיום המעבדה בטכניון היא היחידה בעולם שמבצעת גידולים כאלה על גאליום ארסניד.
ד”ר מריה בסקין, מהנדסת המעבדה, לא הייתה מרוצה מכך שהתהליך לשילוב התחמוצת עם המוליך למחצה לוקח זמן רב, בגלל רגישותו וריבוי השלבים. היא הגתה שיטה חדשה לגידול שכבות תחמוצת על גאליום ארסניד בשלב אחד ישיר ופשוט. במחקר מריה השוותה דגמים רבים שגודלו בשיטה המוכרת ובשיטה החדשה והפשוטה, והראתה שהשיטה החדשה מביאה לאיכויות חומר זהות לשיטה המסובכת. בכך מריה פתחה נתיב מהיר לשילוב תחמוצות עם מוליך למחצה חשוב, מה שמאפשר פיתוח של התקנים חדשים. בנוסף, פשטות התהליך תאפשר פתיחה של התחום גם לחוקרים נוספים. לאחרונה המאמר שמריה פרסמה על הפיתוח זכה בהכרה בפרס המאמר המצטיין שהוצג בכנס NAMBE של האגודה האמריקנית לואקום (AVS).
העבודה נערכה בשיתוף פעולה עם חוקרים ממרכז הפוטוניקה הלאומי בשורק, במימון קרן פזי ועם תמיכה ממרכז המיקרואלקטרוניקה בטכניון.
