מקום לידה: תל אביב, ישראל.
תואר: פרופ' אמריטוס.
- 1976 :קבלת דרגת פרופסור מן המניין בפקולטה להנדסת חשמל ומחשבים.
- 1961 :תואר שלישי בהנדסת חשמל, טכניון.
- 1956 :תואר שני בהנדסת חשמל, טכניון.
- 1952 :תואר ראשון בהנדסת חשמל, טכניון.
זיקה לטכניון ולפקולטה:
- 1988-1989, 1970: ראש מרכז מחקר מיקרו-אלקטרוניקה.
- 1976-1978 : דיקן הפקולטה להנדסת חשמל.
- 1962: הצטרף לסגל הפקולטה להנדסת חשמל.
תחומי מחקר:
- התקנים המבוססים על תופעות אלקטרומגנטיות.
- תחום הטכנולוגיה של התקנים אלקטרונים ופרסום עבודות רבות על גידול אפיטקסילי של סיליקון וגרמניום.
- התקני O.Sבסיליקון.
- התקני הספק.
- התקני F. וגלאי A.R.
- התקנים מוליכים למחצה ומיקרו אלקטרוניקה.
הוקרה:
- החל מ 1992 החזיק בקתדרה על שם אלרון/אלביט להנדסת אלקטרוניקה.
- 1995, 1991, 1987 פרופסור אורח במכון קרנגי, אימפריאל קולג’ בלונדון.
- 1966 פרופסור אורח באוניברסיטת קרנגי-מלון.
- 1981 פרופסור אורח באוניברסיטת קליפורניה, סנטה ברברה.